作者:武利翻著
出版社: 西北大学出版社
CIP号:2019212919
书号:978-7-5604-4429-1
出版地:西安
出版时间:2019.9
定价:¥36.0
本书分为五个部分,即Sb基高电子迁移率晶体管的应用及发展、高电子迁移率晶体管的工作原理、晶体管的仿真、器件外延材料生长、InAs/AlSb HEMT器件制作工艺。本书可被从事Sb基高电子迁移率晶体管的研究人员作为参考书。